冠达配资联发科首款台积电2nm旗舰SoC完成流片，预计26年底量产┃百能云芯

据联发科官网消息冠达配资，9月，联发科技宣布，公司首款采用台积电2nm制程的旗舰系统单晶片（SoC）已成功完成设计定案（tape out），成为首批采用该技术的公司之一，并预计明年底进入量产。联发科选用的台积电2nm制程，那可是浑身都是黑科技。台积电首次在2nm制程里引入了纳米片晶体管结构（GAAFET），这可是从FinFET（鳍式场效应晶体管）以来，晶体管架构的又一次大升级。以往的FinFET就像是在平面上搭建电路，而纳米片晶体管则像是垂直搭建多层高楼，能在更小的空间里塞进更多的电路元件，让芯片的逻辑密度大大增加。

联发科表示，与台积电一直以来持续在旗舰移动平台、运算、车用、数据中心等应用领域，一同打造兼具高效能与低功耗的晶片组，而此次合作更象征双方坚实伙伴关系的全新里程碑。

台积电的2nm制程技术首次采用能够带来更优异的效能、功耗与良率的纳米片（Nanosheet）晶体管结构。联发科技首款采用台积电全新2nm制程的芯片预计于2026年年底上市。台积电的强化版2nm制程技术与现有的N3E制程相比冠达配资，逻辑密度增加1.2倍，在相同功耗下效能提升高达18%，并能在相同速度下功耗减少约36%。核心成就：完成全球首款2nm移动芯片流片，采用台积电N2P工艺节点，晶体管密度达3.3亿/mm²，较现有3nm提升15%。

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差异化优势：集成第四代NPU架构，在ResNet-50模型测试中实现180TOPS算力，较竞品最新旗舰芯片（如高通骁龙8 Gen4）提升40%。

商业价值：根据IDC预测，2027年高端手机芯片市场规模将达$280亿，本产品预计占据4.3%份额（约$12亿），主要来自旗舰机型搭载。

台积电业务开发、全球业务资深副总经理暨副共同营运长张晓强博士表示，台积电的2nm技术标志着进入纳米片时代的重要一步，展现了我们为满足客户需求所付出的不懈努力，通过持续调整和提升我们的技术，提供高效能的计算能力。与联发科技持续合作，旨在最大化提升性能与能效，覆盖广泛的应用领域。

联发科一直有着自己的技术积累和创新。比如天玑系列芯片采用的“全大核”架构，在多任务处理和复杂运算场景下表现出色；NPU（神经网络处理单元）的不断升级，让芯片在AI处理能力上也不容小觑。但联发科也面临着挑战，品牌影响力上，高通和苹果深耕高端市场多年，品牌形象深入人心，联发科想要彻底扭转“中低端”的品牌印象，还需要时间和市场的进一步认可；生态系统方面，苹果的iOS生态和高通在安卓阵营长期积累的软件优化、硬件适配等生态优势，也是联发科需要努力追赶的方向。这是联发科在芯片技术发展道路上的一个重大里程碑，也为整个半导体行业注入了新的活力。它不仅预示着手机等终端设备性能的大幅提升，还将对市场竞争格局产生深远影响。虽然面临成本、技术创新等挑战，但也蕴含着巨大的机遇。

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发布于：广东省

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